Passivation o se faiga autu i le gaosiga o loʻo taaipepa apamemea. E galue e pei o se "talita mole-level" i luga o le fogaeleele, faʻaleleia le teteʻeina o le pala aʻo faapaleniina ma le faaeteete lona aafiaga i mea taua e pei o le conductivity ma solderability. O lenei tusiga e suʻesuʻe i le saienisi i tua atu o le passivation mechanisms, faʻatauga faʻatinoga, ma faiga faʻainisinia. Fa'aaogainaUamea CIVENO fa'ata'ita'iga e fai ma fa'ata'ita'iga, o le a matou su'esu'eina lona taua fa'apitoa i le gaosiga o mea tau eletise maualuga.
1. Pasivation: O se "Tatafa'a-Molecular Level" mo le Copper Foil
1.1 Fa'afefea ona fa'atupuina le Pasivation Layer
E ala i vailaʻau poʻo togafitiga eletise, o se mea faʻapipiʻi faʻapipiʻi oxide 10-50nm mafiafia fomu i luga o le mata.pepa apamemea. E fa'atatau i le Cu₂O, CuO, ma fa'alapotopotoga fa'aletino, o lenei vaega e maua ai:
- Papuipui Faaletino:E fa'aitiitia le fa'asoa o le okesene ile 1×10⁻¹⁴ cm²/s (lalo mai le 5×10⁻⁸ cm²/s mo kopa e leai ni mea).
- Electrochemical Pasivation:E pa'ū le mamafa i le taimi nei mai le 10μA/cm² i le 0.1μA/cm².
- Ole malosi ole vaila'au:O le malosi e leai se totogi e fa'aititia mai le 72mJ/m² i le 35mJ/m², fa'agata ai amioga fa'agaioiga.
1.2 Faamanuiaga Autu e Lima o le Pasivation
Ituaiga Fa'atinoga | Iila Apamea e le'i togafitia | Pasivated Copper Foil | Fa'aleleia |
Su'ega Su'ega masima (itula) | 24 (vaila'ai 'ele nofoaga) | 500 (leai se pala e iloa atu) | +1983% |
Oxidation Maualuluga (150°C) | 2 itula (liliu uliuli) | 48 itula (tumau le lanu) | +2300% |
Ola Teuteu | 3 masina (fa'auma-mea) | 18 masina (fa'apipi'i masani) | +500% |
Fa'asagaga Fa'afeso'ota'i (mΩ) | 0.25 | 0.26 (+4%) | – |
Ma'imau Fa'aofiga Fa'amau (10GHz) | 0.15dB/cm | 0.16dB/cm (+6.7%) | – |
2. O le “Pelu Matalua” o Laega Pasivation—ma le Auala e Paleni ai
2.1 Iloiloga o Tulaga lamatia
- Fa'aiti'itia Laititi i Amioga:O le passivation layer e faʻateleina le loloto o le paʻu (i le 10GHz) mai le 0.66μm i le 0.72μm, ae o le tausia o le mafiafia i lalo ole 30nm, e mafai ona faʻatapulaʻaina le faʻateleina o le resistivity i lalo ole 5%.
- Lu'i lu'itau:Malosi i luga maualalo faateleina solder susū tulimanu mai le 15° i le 25°. O le fa'aogaina o pa'u fa'aola (ituaiga RA) e mafai ona fa'afefe ai lenei fa'afitauli.
- Fa'afitauli Fa'apipi'i:E mafai ona pa'ū i lalo le 10-15% le malosi o le fusifusia, lea e mafai ona faʻaitiitia e ala i le tuʻufaʻatasia o faiga faʻamalosi ma le pasi.
2.2Uamea CIVEN's Paleni Fa'atatau
Gradient Passivation Tekinolosi:
- Fa'avae:Electrochemical tuputupu aʻe o le 5nm Cu₂O ma (111) faʻatonuga sili.
- Laega vaeluagalemu:O se 2-3nm benzotriazole (BTA) ata tifaga fa'apipi'i.
- Laupapa i fafo:Silane coupling agent (APTES) e faʻaleleia ai le pipii o resini.
I'uga Fa'atinoga Fa'asilisili:
metric | IPC-4562 Manaoga | Uamea CIVENI'uga I'uga I'a |
Fa'asagaga i luga (mΩ/sq) | ≤300 | 220–250 |
Malosi Pa'u (N/cm) | ≥0.8 | 1.2–1.5 |
Malosi Fa'atasi Fa'atasi (MPa) | ≥25 | 28–32 |
Fuafuaga o Femalagaiga Ionic (μg/cm²) | ≤0.5 | 0.2–0.3 |
3. Uamea CIVEN's Pasivation Technology: Toe fa'amalamalamaina Tulaga Puipuiga
3.1 Ose Fa'atonuga Puipuiga
- Pulea ole Oxide Ultra-Thin:O le anodization o pulupulu e maua ai suiga mafiafia i totonu ole ± 2nm.
- Fa'aanoka-Inorganic Fa'apalapala:E galulue fa'atasi le BTA ma le silane e fa'aitiitia le fua ole pala ile 0.003mm/tausaga.
- Togafitiga o le Faagaioiina i luga:O le fa'amamāina o le plasma (Ar/O₂ kesi fa'afefiloi) e toe fa'afo'i ai tulimanu fa'asusu solder i le 18°.
- Mata'ituina Taimi Moni:Ellipsometry e fa'amautinoa le mafiafia o le pasivation i totonu ole ± 0.5nm.
3.2 Fa'amaonia le Siosiomaga Tulaga
- Maualuga maualuga ma le vevela:A maeʻa le 1,000 itula i le 85 ° C / 85% RH, o le tetee i luga e suia i lalo ifo o le 3%.
- Te'i vevela:A maeʻa le 200 taʻamilosaga o le -55 ° C i le + 125 ° C, e leai ni taʻei e aliali mai i le paʻu passivation (faʻamaonia e le SEM).
- Tete'e vaila'au:Tete'e i le 10% HCl ausa faateleina mai le 5 minute i le 30 minute.
3.3 Feso'ota'i i Talosaga
- 5G Milimita-Galu Antenna:28GHz fa'aofi gau fa'aititia i le na'o le 0.17dB/cm (fa'atusatusa i le au tauva '0.21dB/cm).
- Ta'avale Fa'aeletonika:Pasia ISO 16750-4 su'ega masima masima, fa'atasi ai ma ta'amilosaga fa'alautele i le 100.
- IC Substrates:O le malosi faʻapipiʻi ma le ABF resin e oʻo atu i le 1.8N / cm (averesi o pisinisi: 1.2N / cm).
4. Le Lumana'i o Pasivation Technology
4.1 Atomic Layer Deposition (ALD) Tekinolosi
Atina'e ata tifaga fa'asao nanolaminate fa'avae ile Al₂O₃/TiO₂:
- Mafiafia:<5nm, faʻatasi ai ma le faʻateleina o le resistivity ≤1%.
- CAF (Conductive Anodic Filament) Tetee:5x faaleleia.
4.2 Fa'amalologa a le tagata lava ia Laega Pasivation
Tu'ufa'atasia mea fa'a'au'au fa'ameamea (benzimidazole)
- Fa'amalologa o le tagata lava ia:E sili atu i le 90% i totonu ole 24 itula pe a maeʻa le maosi.
- Soifua Auaunaga:Fa'aopoopo i le 20 tausaga (fa'atusatusa i le tulaga masani 10-15 tausaga).
Fa'ai'uga:
Passivation togafitiga ausia se paleni mama i le va o le puipuiga ma galuega tauave mo taavalepepa apamemea. E ala i mea fou,Uamea CIVENfa'aiti'itia fa'aletonu o le passivation, fa'aliliuina i se "ofutau e le vaaia" e fa'ateleina ai le fa'atuatuaina o oloa. A o agai atu le alamanuia faaeletonika agai i le maualuga maualuga ma le maufaatuatuaina, o le sa'o ma le pulea o le passivation ua avea ma maatulimanu o le gaosiga o pepa apamemea.
Taimi meli: Mati-03-2025